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Everspin代办署理非易失性1Mb串行SPI MRAM--MR25H10MDFR

2022-06-07 10:33:01

MRAM(磁性只读存储器)和FRAM(铁电RAM)都声称具备相似的机能劣势:低电压操作、长命命和十分高的速度。他们以差别的方法实现这些目的,虽然在每种情形下,机能突破面前都有立异的质料手艺。
 
MRAM或磁性随机存取存储器使用1个晶体管–1个磁性隧道结(1T-1MTJ)架构,将铁磁质料的磁性“状况”作为数据存储元件。因为MRAM使用磁性状况举行存储(而不是会跟着时间“泄露”的电荷),是以MRAM提供了十分长的数据保留时间(+20年)和无限的耐用性。切换磁极化(写入周期)是磁隧道结(MTJ)上方和下方导线中脉冲电流的结果。来自电流脉冲的相关H场改动了铁磁质料自由层的极化。
 
这类磁性开关不需求原子或电子的位移,这象征着没有与MRAM相关的磨损机制。自由层绝关于流动层的磁矩会改动MTJ的阻抗。阻抗的这类变更代表数据的状况(“1”或“0”)。感测(读取周期)是经由过程丈量MTJ的阻抗来实现的。MRAM装备中的读取周期长短粉碎性的且绝对较快(35ns)。读取操作是经由过程MTJ上的极低电压实现的,撑持在部件生命周期内无限操作。Everspin代办署理英尚微引见一款AEC-Q1001级非易失性1Mb串行SPI MRAM--MR25H10MDFR
 
MR25H10MDFR是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器(MRAM)装备,组织为131,072个8位字。MR25H10MDFR提供串行EEPROM和串行闪存兼容读/写时序,无写提早和无限读/写经久性。与其他串行存储器差别,读取和写入均可以在存储器中随机发作,写入之间没有提早。关于必需使用少许I/O引脚快捷存储和检索数据和程序的运用程序,MR25H10MDFR是理想的存储器解决计划。
 
MR25H10MDFR采取5mmx6mm 8引脚DFN封装DFN Small Flag封装。二者都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产物兼容。MR25H10MDFR在很宽的温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。该产物提供AEC-Q1001级(-40℃至+125℃)事情温度范畴选项。
 
特性
•无写入提早
•无限写入经久性
•数据保留跨越20年
•断电时主动数据掩护
•块写掩护
•快捷、简单的SPI接口,时钟速度高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范畴
•低电流就寝模式
•产业温度
•提供8针DFN Small Flag RoHS兼容
•间接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
•AEC-Q1001级选项


本文关头词:MR1A16A  


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