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赛普拉斯代办署理4Mbit异步快捷SRAM芯片CY7C1041GN30-10ZSXIT

2022-06-03 09:41:42

SRAM是一种随机存取存储器(RAM),它使用基于触发器的锁存电路来存储每一个位。只需有电源,数据位就会保留在存储器中。与静态RAM(DRAM)差别,SRAM没必要按期刷新。SRAM有两种差别的气势派头:同步和异步。同步SRAM是与称为时钟的内部旌旗灯号同步的装备。装备只会在时钟的特定状况下将信息读取和写入内存。另外一方面,异步SRAM不依赖于时钟的状况。它会在收到指令后当即开端向内存中读取或写入信息。
 
赛普拉斯为收集、汽车、消费电子、产业、医疗、航空航天和国防等各类运用提供各类高速、低功耗和牢靠的SRAM。凭借多样化的异步、同步和双端口SRAM产物组合以及不变供给和历久产物撑持的承诺,赛普拉斯是首选的SRAM供给商。英尚微代办署理引见一款市情上比力受欢送的一款赛普拉斯4Mbit异步SRAM
 
CY7C1041GN30-10ZSXIT是一款是高机能CMOS快捷静态RAM,按16位组织为256K字。容量4Mbit的高速异步快捷SRAM,接见速率10ns/15ns,低举止和待电机流,事情电压范畴2.2V~3.6V,1.0-V数据保留,事情温度-40℃~ 85℃,具备TTL兼容的输出和输出,封装采取无铅44-pinTSOPII。
 
引脚设置
 
 
 
44-pinTSOPII
 
CY7C1041GN30-10ZSXIT数据写入经由过程将芯片使能(CE)和写入使能(WE)输出置为低电平来施行,同时在I/O0至I/O15上提供数据并在A0至A17引脚上提供地点。字节高使能(BHE)和字节低使能(BLE)输出管制对指定存储器地位的高字节和低字节的写操作。BHE经由过程I/O15管制I/O8,BLE经由过程I/O7管制I/O0。
 
数据读取是经由过程将芯片使能(CE)和输出使能(OE)输出置为低电平并在地点线上提供所需地点来施行的。读取数据可经由过程I/O线(I/O0到I/O15)接见。字节接见能够经由过程置位所需的字节使能旌旗灯号(BHE或BLE)来施行,以从指定地点地位读取数据的高字节或低字节。
 
在如下变乱期间,一切I/O(I/O0到I/O15)都处于高阻抗状况:
■装备被打消选择(CEHIGH)
■管制旌旗灯号(OE、BLE、BHE)有效
 
借助片上硬件ECC(纠错码),赛普拉斯的SRAM能够在线施行一切与ECC相关的功用,无需干涉。更高能量的外星辐射能够翻转多个相邻位,招致多位错误。ECC的单比特错误检测和改正威力由比特交错计划弥补,以避免多比特错误的发作。这些特性配合光鲜明显普及了软错误率(SER)机能,从而完成低于0.1FIT/Mbit的行业当先FIT率。


本文关头词: CY7C1041GN30-10ZSXIT


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