襄阳市三利轮胎循环利用有限公司

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    主页 › 产物中间NV RAMMRAMSerial MRAM
    everspinEverspin MRAM是一种具备反动性的存储器,其原理是哄骗电子自旋的磁性结构,来提供不会发生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成为了硅电路的磁性质料中存储信息,以在繁多、可无限使用的组件中提供SRAM的速率以及闪存的非挥发特性。Everspin是从飞思卡尔半导体公司分散进去的一家自力公司。2006年,Everspin推出业界第一款贸易化MRAM产物。昔日,Everspin MRAM已普遍用在数据存储、产业主动化、游戏、动力经管、通信、运输、和航空电子畛域。

    Everspin Technologies MR25H256 / MR25H10 / MR25H40 SPI串行MRAM具备兼容串行EEPROM和串行闪存的读/写时序,没有写入提早,而且耐读/写威力超卓。与其他串行存储器差别,这些存储器的读/写操作能够是随机的,而且没有写入提早。 
    采取5 mm x 6 mm 8引脚DFN封装或5 mm x 6 mm 8引脚DFN Small Flag封装,而且都与闪存串行EEPROM和FeRAM产物兼容。
    Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp Order Multiple /Tray Order Multiple / T&R MOQ / Tray MOQ / T&R PDF下载
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